Guasto in fabbrica Samsung distrutti 3,5 % NAND Flash

Grande blackout nella fabbrica Samsung distrugge il 3,5% dei NAND Flash mondiali.

Blackout inaspettato nella fabbrica Samsung di Pyeongtaek che oltre a bloccare la produzione, ha danneggiato irrimediabilmente migliaia di wafer per la produzione di memorie.

Secondo quanto stimato il danno prodotto ha distrutto circa il 3,5 % dei NAND Flash mondiali, essendo quasi tutti di produzione Samsung.

Il disservizio avvenuto il 9 marzo è durato circa 30 minuti e ha colpito circa 50.000/60.000 wafer.

I wafer sono realizzati con un’architettura a 64 strati di celle impilati verticalmente.

Non è la prima volta che accadono incidenti del genere ma solitamente per non bloccare la produzione, le aziende utilizzano dei gruppi di continuità, simile a quelli utilizzati negli ospedali.

Se noterete nei prossimi mesi degli aumenti di prezzo delle memorie flash non volatili come gli SSD, ora saprete perchè.

Leave a reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *

Questo sito usa Akismet per ridurre lo spam. Scopri come i tuoi dati vengono elaborati.